宽禁带功率器件芯片需要知道的事项
发布时间：
2021/09/15 00:00
据悉，是专业从事功率半导体芯片和器件的研发、设计、生产和销售，具备以先进的芯片技术和封装设计、制程及测试为核心竞争力的IDM业务体系为主。公司集功率半导体器件、功率集成电路、新型元件的芯片研发和制造、器件研发和封测、芯片及器件销售和服务为一体的功率（电力）半导体器件制造商和品牌运营商。公司主营产品为各类电力电子器件和芯片，分别为：晶闸管器件和芯片、防护类器件和芯片（包括：TVS、放电管、ESD、集成放电管、贴片Y电容、压敏电阻等）、二极管器件和芯片（包括：整流二极管、快恢复二极管、肖特基二极管等）、厚膜组件、晶体管器件和芯片、MOSFET器件和芯片、碳化硅器件等。
拿硅材料作比，碳化硅的禁带宽度是硅的3倍，而击穿场强是硅的7倍左右，以上两个特性，使碳化硅半导体在高压高功率场景的表现明显优于单硅器件。
氧化镓是一种新兴的超宽禁带半导体，顾名思义，其拥有4.8eV的超大禁带，使其制作的器件比第三代半导体器件更薄、更轻，同时能够承受更大的电场而不会被击穿，在超高功率元件之应用极具潜力。
公开资料显示，意发功率主要从事功率半导体器件及智能功率控制器件的设计、制造及销售。按照意发功率的战略发展规划，公司将稳定现有白色家电类功率半导体产业，同时会积极开拓光伏发电市场、充电桩控制芯片、电动车控制芯片等业务。
在用新型半导体材料制成的功率器件中，最有希望的是碳化硅(SiC)功率器件。它的性能指标比砷化镓器件还要高一个数量级，碳化硅与其他半导体材料相比，具有下列优异的物理特点:高的禁带宽度，高的饱和电子漂移速度，高的击穿强度，低的介电常数和高的热导率。上述这些优异的物理特性，决定了碳化硅在高温、高频率、高功率的应用场合是极为理想的半导体材料。在同样的耐压和电流条件下，SiC器件的漂移区电阻要比硅低200倍，即使高耐压的SiC场效应管的导通压降，也比单极型、双极型硅器件的低得多。而且，SiC器件的开关时间可达10nS量级，并具有十分优越的FBSOA。
创立于2011年，总部位于江苏苏州昆山高新区。公司采用整合设计与制造（IDM）的业务模式，率先在中国开展了宽禁带半导体氮化镓（GaN）功率半导体芯片、器件及模块的研发与商业化，为5G移动通讯基站、宽频带通信等射频领域和工业控制、电源、电动汽车等电力电子领域提供率的功率半导体产品及解决方案。
挖贝网资料显示，是专业从事功率半导体芯片和器件的研发、设计、生产和销售，具备以先进的芯片技术和封装设计、制程及测试为核心竞争力的IDM业务体系为主。公司集功率半导体器件、功率集成电路、新型元件的芯片研发和制造、器件研发和封测、芯片及器件销售和服务为一体的功率（电力）半导体器件制造商和品牌运营商。公司主营产品为各类电力电子器件和芯片，分别为：晶闸管器件和芯片、防护类器件和芯片（包括：TVS、放电管、ESD、集成放电管、贴片Y电容、压敏电阻等）、二极管器件和芯片（包括：整流二极管、快恢复二极管、肖特基二极管等）、厚膜组件、晶体管器件和芯片、MOSFET器件和芯片、碳化硅器件等。
国内大功率半导体器件开发始于20世纪60年代初，从硅整流二极管和晶闸管起步，经过近60年的发展，已经具备大功率晶闸管、IGCT、IG和宽禁带器件的设计、开发与制造能力，满足了工业、能源和交通等各个领域的应用需求。功率半导体器件伴随我国铁道电气化事业的发展而成长壮大，见证了我国高压直流输电技术的发展，可支撑愿景下交通与能源领域的应用需求。
据公开资料显示，成立于2020年12月，是第三代半导体氮化镓功率器件和功率器件驱动芯片创新厂商，专注于宽禁带半导体氮化镓功率器件与驱动芯片在电力电子领域中的应用，在成立不到一年内荣获多项科技创新大奖。
伴随着全球半导体产业的技术革命与进步，大功率半导体器件发展60多年，围绕器件的功率容量、频率和转换效率经历了3次大的技术跨越：①从半控型晶闸管到全控型GTO，促进了传动技术从直流传动向交流传动的进步。②从电流驱动GTO到电压驱动IG，实现了数字控制，应用更简单和智能。③从硅基IG到宽禁带器件，系统更加紧凑和轻量化、损耗更低、开关速度更快。
高功率巴条系列产品主要包括高功率巴条芯片、高功率巴条器件和阵列模块。其中，高功率巴条器件是对高功率巴条芯片进行贴片封装，将金线键合构成电路，通过老化检测后形成高功率半导体激光器件，主要应用于工业泵浦、科学研究、生物医学和激光装备等领域。
此外，去年发布的包括电源管理芯片和功率器件厂商，今年我们将电源管理芯片和功率器件分开，形成两个单独的分析报告。本报告专门针对功率器件和第三代半导体，而专门针对电源管理芯片的也将很快发布。
坐落在吉林高新技术产业开发区，为重点高新技术企业，并被确立为企业技术中心、。是集功率半导体器件设计研发、芯片加工、封装测试及产品营销为一体的高新技术企业。经、等国家机构论证，被列为企业技术中心、、国家创新型企业。拥有3英寸、4英寸、5英寸与6英寸等多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线，芯片加工能力为每年片，封装能力为30亿只/年
未来公司将继续开发新一代超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET和TG，加快8寸功率器件技术向12寸线上的转移，同时加大宽禁带半导体功率器件与超级硅功率器件的研发力度，形成一系列宽禁带半导体功率器件产品，使宽禁带半导体功率器件产品与硅基超级硅器件互为补充，实现更强的市场竞争力。
主营业务为功率半导体器件的设计研发、芯片制造、封装测试、销售等业务。公司集IG设计、加工、封测于一体，有多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线，国内半导体功率器件五强，也是该领域的首家上市公司。
成立于2008年，是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域，多运用于汽车相关应用的功率器件领域，尤其是新能源汽车充电桩及充电模块。
高功率单管系列产品主要包括高功率单管芯片、高功率单管器件、光纤耦合模块和直接半导体激光器。其中高功率单管芯片是采用半导体工艺制造的单个发光单元的边发射激光芯片，由高功率巴条芯片经过钝化、镀膜，进一步解理而成，主要应用于工业泵浦、科学研究、生物医学和激光装备等领域。
公司亮点：国产晶闸管龙头企业，专业从事功率半导体芯片和器件的研发、设计、生产和销售。主要产品为各类电力电子器件和芯片。
第三代半导体材料以碳化硅、氮化镓为代表，与前两代半导体材料相比的优势是较宽的禁带宽度，保证了其可击穿更高的电场强度，适合制备耐高压、高频的功率器件
所有这些技术以及其他发展使移动设备能够进行比过去更密集的计算，而不会耗尽。
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